Substrat céramique en nitrure d'aluminium GaN sur QST de 12 pouces Fabricant

détails du produit

Substrat céramique en nitrure d'aluminium GaN sur QST de 12 pouces

Description du produit :

Le GaN sur QST est fourni par la société américaine Qromis. Il peut être utilisé comme substrat de silicium ou comme germe cristallin. En 2017, Qromis a collaboré avec Kyma Technologies pour produire le premier substrat GaN autoporteur (4 pouces) basé sur la technologie QST. En janvier 2020, Qromis a reçu un investissement de Toyota Motor Corporation. Qromis a concédé cette technologie sous licence à deux entreprises, World Advanced et Shin-Etsu Chemical, qui accélèrent toutes deux le rythme de production de composants par épitaxie et par fonderie cette année.

Le substrat GaN autoportant de Qromis présente trois avantages majeurs, il est donc très optimiste :

● Le taux de rendement des dispositifs GaN peut atteindre 90 %.

● Des substrats de 6 et 8 pouces ont été commercialisés et des substrats GaN de 12 pouces devraient être produits en 2025.

Les substrats en nitrure d'aluminium (AlN) de 6 et 8 pouces sont le produit régulier de Fujian Huaqing, et nous pouvons désormais fournir un substrat en céramique en nitrure d'aluminium (AlN) de 12 pouces qui peut être utilisé comme substrat sous-jacent pour le produit GaN sur QST.

Nos substrats en nitrure d'aluminium (AlN) sont disponibles en différentes tailles et épaisseurs. Grâce à un stock important et réactif, nous pouvons expédier votre pièce rapidement pour que vous puissiez démarrer votre projet.

Notre service :
Pour toute personnalisation, veuillez nous contacter. Nous proposons également des céramiques en nitrure d'aluminium (AlN) avec une conductivité thermique allant jusqu'à 230 W/mK.

Spécification:

Dimensions (L x l)	φ12 pouces
Épaisseur	1,0 mm
Conductivité thermique	170 W/mK
Constante diélectrique	8-9 (MHz)
Densité apparente	3,3 g/cm³
Rugosité de surface	Ra : 0,03-0,6 μm des deux côtés

Avantage de l'entreprise :

Fondée en 2004, Huaqing a investi 80 millions de RMB et son capital social s'élève à 40 millions de RMB. Ses produits en céramique AlN et Al2O3 présentent une conductivité thermique élevée, une faible constante diélectrique, un bon facteur de dissipation et d'excellentes propriétés mécaniques par rapport aux autres usines du secteur. Ces céramiques sont largement utilisées dans les LED haute performance, les communications optiques, les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), les dispositifs de puissance, les TEC et d'autres applications haut de gamme.

Atelier et équipement :

Emballage et livraison :
Livré par UPS, DHL, Fedex, etc.

ÉTIQUETTES CHAUDES : Nitrure d'aluminium GaN-on-QST Substrat en nitrure d'aluminium GaN-on-QST Substrat AlN GaN-on-QST AlN GaN-sur-QST Substrat céramique AlN GaN-on-QST Plaquette de céramique AlN GaN-on-QST

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