Substrat céramique en nitrure d'aluminium 12 pouces GaN-on-QST Fabricant

détails du produit

Substrat céramique en nitrure d'aluminium 12 pouces GaN-on-QST

Description du produit:

GaN-on-QST est fourni par la société Qromis des États-Unis, et peut être utilisé comme substrat de silicium ou germe cristallin. En 2017, ils ont collaboré avec Kyma Technologies pour produire le premier substrat GaN autonome (4 pouces) basé sur la technologie de substrat QST. En janvier 2020, Qromis a reçu un investissement de Toyota Motor Corporation. Qromis a concédé cette technologie sous licence à deux sociétés, dont World Advanced et Shin-Etsu Chemical, qui accélèrent toutes deux cette année le rythme de la production d'épitaxie et de fonderie de dispositifs.

Le substrat GaN autoportant de Qromis présente trois avantages majeurs, il est donc très optimiste : ● Le taux de rendement des dispositifs GaN peut atteindre 90 %. ● Des substrats de 6 et 8 pouces ont été commercialisés, et des substrats GaN de 12 pouces devraient être produits en 2025.

Les substrats en nitrure d'aluminium (AlN) de 6 pouces et 8 pouces sont le produit régulier de Fujian Huaqing, et nous pouvons désormais fournir un substrat en céramique de nitrure d'aluminium (AlN) de 12 pouces qui peut être utilisé comme substrat sous-jacent pour le produit GaN-on-QST.

Nos substrats en nitrure d'aluminium (AlN) sont disponibles en différentes tailles et épaisseurs. Grâce à un inventaire important et en direct, nous pouvons expédier votre pièce rapidement pour que vous puissiez démarrer votre projet.

Notre service:
Veuillez nous contacter pour la personnalisation. Nous pouvons également fournir de la céramique en nitrure d'aluminium (AlN) avec une conductivité thermique jusqu'à 230 W/mK.

Spécification:

Dimension (Lxl)	φ12 pouces
Épaisseur	1,0 mm
Conductivité thermique	170W/m.K
Constante diélectrique	8-9 (MHz)
Densité apparente	3,3 g/cm³
Rugosité de surface	Ra :0,03-0,6 μm des deux côtés

Avantage de l'entreprise :

Huaqing Fondée en 2004, avec un investissement total de 80 millions de RMB, un capital social de 40 millions de RMB. Les produits céramiques AlN et Al2O3 de Huaqing ont une conductivité thermique élevée, une faible constante diélectrique, un bon facteur de dissipation et d'excellentes propriétés mécaniques par rapport aux autres usines du secteur. Les céramiques AlN et Al2O3 sont largement utilisées dans les domaines HBLED, opto-communication, IGBT, dispositifs d'alimentation, TEC et autres applications haut de gamme.

Atelier et équipement :

Emballage et livraison :
Livrer par UPS, DHL, Fedex, etc.

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